91porn。com 集成电路学院/集成电路高精尖中心15篇论文入选第69届IEDM
第69届海外电子器件大会（IEDM 2023）于12月9日至13日在好意思国旧金山举行。在本届IEDM上，北京大学集成电路学院共有15篇高水平学术论文（第一作家单元14篇、共同第一作家单元1篇）入选，扣问着力粉饰先进逻辑器件、新式存储器件、感存算交融器件及功率器件等多个范围。按照论文第一单元统计，北京大学以14篇论文和IMEC、三星并排本届IEDM大会入选数目第一，同期亦然委用论文最多的高校。北京大学已连络3年景为IEDM委用论文最多的高校91porn。com，连络17年在IEDM大会上发表论文。
参会教训与学生合影
在先进逻辑器件及可靠性扣问方面发表论文5篇，实践包括：1）基于55nm节点商用逻辑工艺平台上研发的新式超低功耗隧穿场效应晶体管与圭臬CMOS的单片混书籍成期间，以及基于此平台研制的世界首个基于新式隧穿晶体管的极低功耗微适度器芯片（论文题目：A Sub-100nA Ultra-low Leakage MCU Embedding Always-on Domain Hybrid Tunnel FET-CMOS on 300mm Foundry Platform，第一作家：东南大学硕士生侯耀儒和北京大学博士生王凯枫，共同通信作家：东南大学蔡浩副教悔、北京大学黄芊芊扣问员）；2）摄取非原位加热化学气相千里积法在450 ℃低温下制备的高性能硅基后谈兼容原子级单层WSe2 p型晶体管器件（论文题目：BEOL Compatible High-Performance Monolayer WSe2pFETs with Record Gm="190"μS/μm and Ion="350"μA/μm by Direct-Growth on SiO2 Substrate at Reduced Temperatures，第一作家：博士生王欣，通信作家：吴燕庆扣问员）；3）初度斥逐后谈工艺兼容的高性能堆叠围栅纳米片氧化物半导体器件（论文题目：First Demonstration of Sequential Integration for Stacked Gate-All-Around a-IGZO Nanosheet Transistors with Record Id = 2.05 mA/μm， gm = 1.13 mS/μm and Ultralow SS = 66 mV/dec，第一作家：博士生李奇峻，通信作家：吴燕庆）；4）基于氧化物半导体ITO晶体管的偏压温度不褂讪和热载流子退化效应系统扣问，初度斥逐高可靠性非晶氧化物半导体顶栅器件（论文题目：First demonstration of top-gate indium-tin-oxide RF transistors with record high cut-off frequency of 48 GHz， Id of 2.32 mA/m and gm of 900 S/m on SiC substrate with superior reliability at 85 oC91porn。com，第一作家：博士后胡倩澜，通信作家：吴燕庆）；5）先进工艺热载流子可靠性退化的界面劣势产期许制、模子及TCAD仿真框架（论文题目：New Insights into the Interface Trap Generation during Hot Carrier Degradation: Impacts of Full-band Electronic Resonance， (100) vs (110)， and nMOS vs pMOS，第一作家：北京大学博士生王子瑞，共同通信作家：北京大学王润声教悔、中国科学院半导体扣问所刘岳阳扣问员）。
麻豆 苏畅在新式存储器及可靠性扣问方面发表论文5篇，实践包括：1）基于40nm圭臬CMOS量产线研制的面向40/28nm及以下先进逻辑工艺节点的高密度、高可靠阻变存储器，具有同工艺节点阻变存储器集成密度纪录和150度10年的数据保执特点（论文题目：A Logic-Process Compatible RRAM with 15.43 Mb/mm2 Density and 10 years @150°C retention using STI-less Dynamic-Gate and Self-Passivation Sidewall，第一作家：博士生王錡深和杨宇航，通信作家：王宗巍副扣问员、蔡一茂教悔）；2）初度斥逐具有高抗扰动性的无遴选管铪基铁电立时存储器（论文题目：First Demonstration of Hafnia-based Selector-Free FeRAM with High Disturb Immunity through Design Technology Co-Optimization，第一作家：博士生符芷源和曹胜杰，通信作家：黄芊芊、黄如院士，该论文获取2023 IEDM Best Student Paper Award提名）；3）基于掺杂镧元素的铪锆氧体系初度斥逐高永久性无退火铪基铁电顶栅晶体管（论文题目：First Demonstration of Annealing-Free Top Gate La:HZO-IGZOFeFET with Record Memory Window and Endurance，第一作家：博士生曾敏，通信作家：吴燕庆）；4）先进DRAM工艺外围电路的器件可靠性扣问（论文题目：Comprehensive Study of NBTI and Off-State Reliability in Sub-20 nm DRAM Technology: Trap Identification， Compact Aging Model， and Impact on Retention Degradation，第一作家：北京大学博士生孙梓轩，共同通信作家：北京大学王润声教悔、上海交通大学纪志罡教悔、中科院半导体所邓惠雄扣问员）；5）通过熵源和CRP生成决议协同优化斥逐基于铁电晶体管阵列的强慎重性物理不成克隆函数（论文题目：A Novel FeFET Array-Based PUF: Co-optimization of Entropy Source and CRP Generation for Enhanced Robustness in IoT Security，第一作家：博士生邵瀚雍和周粤佳，通信作家：唐克超扣问员、黄如院士）。
在感存算交融器件扣问方面发表论文2篇，实践包括：1）基于可重构有机-无机异质结光电晶体管器件的超高灵明锐内卷积视觉传感器件（论文题目：Ultrasensitive Retinomorphic Dim-Light Vision with In-Sensor Convolutional Processing Based on Reconfigurable Perovskite-Bi2O2Se Heterotransistors，第一作家：博士生许蕾，通信作家：贺明扣问员、黄如院士）;2）面向机器视觉改良的RRAM多核搀杂域多项式加快存内贪图芯片（论文题目：Hybrid-Domain In-Memory Polynomial Acceleration based on 40nm RRAM Multi-Core Chip for Machine Vision Calibration，第一作家：鲍霖，通信作家：王宗巍副扣问员、蔡一茂）。
在GaN功率器件扣问方面发表论文3篇，实践包括：1）Si-like阈值电压褂讪的增强型metal/insulator/p-GaN栅GaN功率器件（论文题目：Simultaneously Achieving Large Gate Swing and Enhanced Threshold Voltage Stability in Metal/Insulator/p-GaN Gate HEMT，第一作家：博士生杨俊杰，通信作家：魏进扣问员、王茂俊副教悔、沈波教悔）；2）通过“virtual body”屏蔽衬底高压串扰信号斥逐的基于体硅衬底的650V GaN桥式集成电路芯片（论文题目：650-V GaN-on-Si Power Integration Platform Using Virtual-Body p-GaN Gate HEMT to Screen Substrate-Inudced Crosstalk，第一作家：杨俊杰，通信作家：魏进、王茂俊、沈波）；3）基于新式有源钝化结构斥逐的6500V增强型p型栅GaN晶体管（论文题目：6500-V E-mode Active-Passivation p-GaN Gate HEMT with Ultralow Dynamic RON，第一作家：博士生崔家玮，通信作家：魏进、王茂俊、沈波）。
在IEDM大会召开时刻，北京大学集成电路学院黄芊芊扣问员受邀看成Panelist（其他Panelists鉴识为好意思国伯克利大学Tsu Jae King Liu教悔、前IEEE EDS主席Fernando Guarin、英国谢菲尔德大学Merlyne de Souza教悔）进入IEEE EDS Women in Electron Devices/Young Professionals Networking Event （IEDM Satellite Event），研究会由IBM Distinguished Research Scientist Mukta Farooq主执。
黄芊芊受邀看成Panelist参会
以上论文的关连扣问职责得到国度重心研发野心、国度当然科学基金委要紧科研仪器研制技俩和隆起后生科学基金、高档学校学科改革引智野心等技俩资助91porn。com，以及微纳电子器件与集成期间寰宇重心实验室、北京阛阓成电路高精尖改革中心、集成电路科学与昔日期间北京实验室、微电子器件与电路培植部重心实验室等基地平台因循。
